特許
J-GLOBAL ID：200903049859832088
はんだ付け装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-114995
公開番号（公開出願番号）：特開平6-328239
出願日： 1993年05月17日
公開日（公表日）： 1994年11月29日
要約：
【要約】【目的】 少量の不活性ガスで溶融はんだの表面に酸化膜が形成されるのを防いではんだ付け性をより向上する。【構成】 ガス供給源15から供給される不活性ガスは、一旦、溶融はんだ内に浸漬されているヘッダ16において、溶融はんだの温度とほぼ同温にまで温められる。この不活性ガスは、溶融はんだ内に浸漬されるチャンバ19aから発生する溶融はんだの噴流および該噴流から貯留部17における溶融はんだの上面に向けて、ノズル18から噴射される。したがって、配線基板11の下面11aを溶融はんだの上面と接触させてはんだ付けを行う際、少ないガス量で溶融はんだの上面に酸化膜が発生するのを防止するとともに、溶融はんだの上面付近の温度低下を防いで、良好なはんだ付けを行うことができる。
請求項（抜粋）：
溶融はんだの上方への噴流を形成するとともに、はんだ付けされるべき配線基板の搬送方向下流側に前記噴流の貯留部を形成し、配線基板を前記搬送方向に移動しつつ、前記噴流から貯留部における溶融はんだの上面に、配線基板の下面を接触させてはんだ付けを行うはんだ付け装置において、少なくとも前記貯留部における溶融はんだの上面に向けて、不活性ガスまたは還元性ガスを噴射するノズルを設けることを特徴とするはんだ付け装置。
IPC (4件)：
B23K 1/08 320
, B23K 3/06
, B23K 31/02 310
, H05K 3/34
