特許

J-GLOBAL ID：200903049860314465

半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 寺崎 達 ,  小山 寿樹 ,  戸川 実栄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-329272
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173088
出願日： 1996年12月10日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：

【要約】【課題】 外部端子の損傷防止、或いはキャリア基板のうねり防止を為し得る半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法の提供。【解決手段】 予めエリアアレイ状に外部端子24が設置されたキャリア基板20を使用して半導体装置を製造するにあたり、前記外部端子の前記基板表面からの突出量より深く、且つその開口が少なくとも個々の外部端子外周を囲んでいるように凹部32,42又は52をステージ31に穿設し、前記外部端子が前記ステージに接触することなく前記凹部内に収容されるよう前記キャリア基板を支承して当該半導体装置を製造する。

請求項（抜粋）：

予めエリアアレイ状に外部端子が設置されたキャリア基板を支承するステージを備え、該ステージは凹部を有し、該凹部は前記外部端子の前記基板表面からの突出量より深く、且つその開口が少なくとも個々の外部端子外周を囲んでおり、前記キャリア基板が前記ステージに支承されたとき、前記外部端子が前記ステージに接触することなく前記凹部内に収容されることを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 21/60 311 S