特許
J-GLOBAL ID：200903049865394505
放射線検出デバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
森 哲也
, 内藤 嘉昭
, 崔 秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-241569
公開番号（公開出願番号）：特開2007-059551
出願日： 2005年08月23日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：
【課題】 pn接合部の空乏層がパンチスルーして流れる漏れ電流を低減することができ、これによってエネルギー成分の小さな放射線を適正に検出すること。【解決手段】 結晶シリコン基板111の上面にアモルファスシリコン膜110が形成され、このアモルファスシリコン膜110の上面の中心領域にカソード電極となる中心電極100が形成され、この中心電極100から所定間隔離れた(環状領域121)周辺に第1のアノード電極となる周辺電極101が形成され、結晶シリコン基板111の下面に第2のアノード電極となる裏面電極116が形成されて成る放射線検出デバイス120において、アモルファスシリコン膜110を、中心電極100と周辺電極101との下のみに形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
結晶シリコン基板の上面にアモルファスシリコン膜が形成され、このアモルファスシリコン膜の上面の中心領域にカソード電極が形成され、このカソード電極から所定間隔離れた周辺に第1のアノード電極が形成されると共に、当該結晶シリコン基板の下面に第2のアノード電極が形成されて成る放射線検出デバイスにおいて、
前記アモルファスシリコン膜を、前記カソード電極と前記第1のアノード電極との下のみに形成した
ことを特徴とする放射線検出デバイス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (14件)：
2G088BB05
, 2G088FF19
, 2G088GG21
, 2G088JJ09
, 2G088JJ32
, 2G088MM09
, 5F088AA02
, 5F088AB05
, 5F088BA01
, 5F088BB07
, 5F088CA01
, 5F088DA01
, 5F088FA09
, 5F088LA07
