特許
J-GLOBAL ID：200903049868038904
レジストパターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-226118
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086127
出願日： 1993年09月10日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】裾引きやくびれを有しない断面を有するパターンを形成するためのレジストパターンの形成方法を提供する。【構成】基板上に光の照射により酸を発生する物質を含む反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜の上に溶解抑止基を導入した樹脂と光の照射により酸を発生する物質とからなる化学増幅型レジスト膜を形成する工程と、前記化学増幅型レジスト膜を所定のパターンに露光する工程と、露光後のレジスト膜を現像する工程とを具備するレジストパターンの形成方法である。
請求項（抜粋）：
基板上に光の照射により酸を発生する物質を含む反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜の上に溶解抑止基を導入した樹脂と光の照射により酸を発生する物質とからなる化学増幅型レジスト膜を形成する工程と、前記化学増幅型レジスト膜を所定のパターンに露光する工程と、露光後のレジスト膜を現像する工程とを具備するレジストパターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/26 511
