特許
J-GLOBAL ID：200903049871171496
プラズマCVD装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-203281
公開番号（公開出願番号）：特開平6-049648
出願日： 1992年07月30日
公開日（公表日）： 1994年02月22日
要約：
【要約】【目的】 アース電極側のシース領域内に生じる基板へのイオン衝突を防止して膜質の向上を図る。【構成】 反応室1内で、高周波が印加されるRF電極5と、電気的に絶縁された基板17との間に、多数の反応ガス通過穴10aが形成されてアース電位にされたメッシュ電極10をRF電極5から発生プラズマのシース領域より外側に配置し、前記RF電極5に反応ガスを供給する反応ガス流入管6を設けた。【効果】 メッシュ電極によりアース電極側のシース領域を通過させて電位を降下させた反応ガスを基板に反応させるので、イオン衝突が生じることがない。
請求項（抜粋）：
反応室内で、高周波またはマイクロ波が印加されるプラズマ発生電極と、電気的に絶縁された基板との間で発生プラズマのシース領域の外側に、多数の反応ガス通過穴が形成されてアース電位にされたメッシュ電極を配置し、前記プラズマ発生電極の近傍に反応ガスを供給する反応ガス供給管を設けたことを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (2件)：
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