半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-315878
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243388
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】スルーホール内壁に生じるデポ物を完全除去し、スルーホールの配線接続を容易にし、長期信頼性を向上させる。【構成】(b)に示すようにレジスト11にスルーホールパターンを形成する。次に(c)に示すようにECRエッチング装置でSF6 ,O2 ガスを用いたシリコン酸化膜4に対してポリイミド樹脂膜5を選択的にエッチングする。次に(d)に示すようにRIE装置でCF4 ,O2 を用いてシリコン酸化膜4をエッチングする。さらに(e)に示すようにアミン系剥離液でデポ物8とレジスト11を除去することにより、スルーホールが形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主面上に第1のアルミニウム配線を形成する工程と前記アルミニウム配線上にP-CVD法により無機絶縁膜を形成する工程と前記無機絶縁膜上に回転塗布法によりポリイミド樹脂膜を形成する工程と、ドライエッチング技術を用いて前記ポリイミド樹脂膜にスルーホールを開口する工程と前記ドライエッチング技術を用いて前記無機絶縁膜の同一箇所にスルーホールを開口する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/90 , H01L 21/28 , H01L 21/302 , C23C 14/35 , C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-235359
特開昭63-304644
特開平3-198331

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