特許

J-GLOBAL ID：200903049871779834

酸化物誘電体薄膜及びその製造方法

発明者： 田中 素之 ,  今井 貴浩 ,  藤森 直治
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 山本 正緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-156737
公開番号（公開出願番号）：特開平8-002998
出願日： 1994年06月15日
公開日（公表日）： 1996年01月09日
要約：

【要約】【目的】 安価な単結晶基板を使用し、その単結晶基板上に設けた結晶性及び配向性の良好な酸化物誘電体薄膜を提供する。【構成】 単結晶基板と酸化物誘電体薄膜との間に、AlN、MgO、Al2O3等の金属化合物の中間層を形成することにより、ケイ素のような安価な単結晶基板を使用し、この単結晶基板に設けた中間層の上に結晶性及び配向性に優れた酸化物誘電体薄膜を形成する。中間層及び/又は酸化物誘電体薄膜の形成方法としてゾルゲル法を採用すれば、酸化物誘電体薄膜を一層安価に製造できる。

請求項（抜粋）：

配向性を有する金属化合物の中間層を備えた単結晶基板の該中間層上に形成された配向性を有する酸化物誘電体薄膜。

IPC (5件)：

C30B 29/22 ,  C30B 23/08 ,  G02F 1/03 ,  H01B 3/00 ,  C30B 29/30