特許

J-GLOBAL ID：200903049874283236

表面実装型発光ダイオード及びその製造方法

発明者： 小池 晃 ,  村野 由夫 ,  深澤 孝一
出願人/特許権者： 株式会社シチズン電子
代理人 (1件)： 浅川 哲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-067870
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269555
出願日： 1999年03月15日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】 表面実装型の発光ダイオードにおいて、蛍光物質等の波長変換用材料が外部からの紫外線などによる影響を受けないようにして波長変換用材料の老化を抑える。【解決手段】 ガラエポ基板12の上面に搭載された発光ダイオード素子15と、その周囲に配置された反射枠21と、この反射枠21内に充填され前記発光ダイオード素子15を封止する第1の樹脂封止体25と、前記ガラエポ基板12の上面外周部12aを残して前記反射枠21を含むガラエポ基板12の上面側に充填された第2の樹脂封止体27と、この第2の樹脂封止体27の上面及び周側面に被せられ且つ前記ガラエポ基板12の上面外周部12aに接着固定されたキャップ状の第3の樹脂封止体28とを備え、上記第1の樹脂封止体25には波長変換用材料が、また第3の樹脂封止体25には紫外線吸収剤が混入されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ガラエポ基板の上面に搭載された発光ダイオード素子と、ガラエポ基板の上面側に充填されて前記発光ダイオード素子を封止する樹脂封止体とを備えた表面実装型発光ダイオードにおいて、前記発光ダイオード素子の周囲に配置された反射枠と、この反射枠内に充填され前記発光ダイオード素子を封止する第1の樹脂封止体と、前記ガラエポ基板の上面外周部を残して前記反射枠を含むガラエポ基板の上面側に充填された第2の樹脂封止体と、この第2の樹脂封止体の上面及び周側面に被せられ且つ前記ガラエポ基板の上面外周部に接着固定されたキャップ状の第3の樹脂封止体とを備え、上記第1の樹脂封止体には波長変換用材料が、また第3の樹脂封止体には紫外線吸収剤が混入されていることを特徴とする表面実装型発光ダイオード。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 23/28

FI (3件)：

H01L 33/00 N ,  H01L 33/00 C ,  H01L 23/28 D

Fターム (17件)：

4M109AA02 ,  4M109CA01 ,  4M109DA02 ,  4M109EC11 ,  4M109EC12 ,  4M109GA01 ,  5F041AA11 ,  5F041AA14 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CB36 ,  5F041DA34 ,  5F041DA36 ,  5F041EE23 ,  5F041EE25

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-038114   出願人：株式会社シチズン電子
• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-241449   出願人：日亜化学工業株式会社
• 特開昭61-158606