特許
J-GLOBAL ID：200903049879588230
半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-191082
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045866
出願日： 1993年08月02日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：
【要約】【目的】 低抵抗、低印加電圧を可能にするZnSe系II-VI族半導体発光素子を提供する。【構成】 n-GaAs基板1上にn-ZnSe52、n-ZnSSe53、n-ZnSe54、CdZnSe55、p-ZnSe2、p-AlGaAs3、p-GaAs4が順次積層されている。さらにその上には、電流を狭窄するためのポリイミド58、p-電極59が形成されている。このようにコンタクト層としてGaAs層4を、その直下にAlxGa1-xAs層3を設けることで、コンタクト抵抗は約1×10-5Ωcmと従来の方法に比べきわめて小さくできる。したがって、印加電圧の低減がはかれ、特性向上が実現できる。
請求項（抜粋）：
第1の導電型のGaAs基板上に、第1の導電型のクラッド層と活性層と第2の導電型のクラッド層とがエピタキシャル成長され、少なくとも前記クラッド層がII-VI族化合物半導体よりなる半導体発光素子において、前記第2の導電型のクラッド層の上に第2の導電型のAlxGa1-xAs(0≦x≦1)層および第2の導電型のGaAs層が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
前のページに戻る
