特許

J-GLOBAL ID：200903049883274088

磁気抵抗効果素子

発明者： 岸 均 ,  清水 豊 ,  長坂 恵一 ,  田中 厚志
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-332226
公開番号（公開出願番号）：特開2000-163717
出願日： 1998年11月24日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 磁気抵抗効果素子に関し、素子特性を劣化させることなく、リードギャップを狭ギャップ化する。【解決手段】 少なくとも1層の反強磁性体層7を有し、任意の形状にパターニングされた磁気抵抗効果膜4〜7、及び、リードギャップ層3,9を介してこの磁気抵抗効果膜4〜7の上下に設けた磁気シールド層2,10からなる磁気抵抗効果素子を構成する少なくとも1層の反強磁性体層7の一部に厚さが他の部分と異なる肉薄部8を設ける。

請求項（抜粋）：

少なくとも1層の反強磁性体層を有し、任意の形状にパターニングされた磁気抵抗効果膜、及び、リードギャップ層を介して前記磁気抵抗効果膜の上下に設けた磁気シールド層からなる磁気抵抗効果素子において、前記少なくとも1層の反強磁性体層の一部に厚さが他の部分と異なる肉薄部を設けたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3件)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/08 A ,  H01L 43/08 Z

Fターム (18件)：

5D034BA05 ,  5D034BA15 ,  5D034BB08 ,  5D034CA06 ,  5D034CA08 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049CB01 ,  5E049CC01 ,  5E049DB04 ,  5E049DB12 ,  5E049EB01 ,  5E049GC01