特許

J-GLOBAL ID：200903049884011412

金属薄膜形成方法

発明者： 津田 善行 ,  安井 秀明
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-296833
公開番号（公開出願番号）：特開平6-145962
出願日： 1992年11月06日
公開日（公表日）： 1994年05月27日
要約：

【要約】【目的】 ヒロックのない平滑な表面のAl薄膜を形成し、LCD画像品質の向上と製造歩留まり向上を目的とする。【構成】 基板1にAl-Si薄膜2を下地層として形成し、その上にAl薄膜3を成膜すること、およびAl薄膜3の形成膜厚を50〜70nmとすることで、Al結晶の異常成長を防止する。

請求項（抜粋）：

アルミニュウム(Al)薄膜を形成する、2個以上のカソードを有するスパッタリング装置を用い、前記第1のカソードにはAlに10重量%未満のシリコン(Si)を含んだスパッタリングターゲットを使用して、形成膜厚の1/4〜1/3を形成した後、前記第2のカソード以降では純Alのスパッタリングターゲットを使用して、膜厚の2/3〜3/4を形成することを特徴とする金属薄膜形成方法。

IPC (7件)：

C23C 14/14 ,  C23C 14/34 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784