特許

J-GLOBAL ID：200903049889359433

単結晶炭化珪素の製造方法

発明者： 大谷 昇 ,  尾上 浩三 ,  高橋 淳 ,  勝野 正和 ,  矢代 弘克 ,  金谷 正敏
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-324508
公開番号（公開出願番号）：特開平9-157092
出願日： 1995年12月13日
公開日（公表日）： 1997年06月17日
要約：

【要約】【課題】 マイクロパイプ欠陥の少ない良質な単結晶炭化珪素を成長させる方法の提供。【解決手段】 種結晶を用いた昇華再結晶法で炭化珪素単結晶を成長させる方法において、成長雰囲気中に不純物元素を含有させ、成長表面および成長結晶中に多量の不純物を供給することにより、マイクロパイプ欠陥の少ない炭化珪素単結晶を成長させる。

請求項（抜粋）：

種結晶を用いた昇華再結晶法で炭化珪素単結晶を成長させる方法において、成長雰囲気中に不純物元素を含有させ、成長表面および成長結晶中に多量の不純物を供給し、マイクロパイプ欠陥の少ない炭化珪素単結晶を成長させる方法。

IPC (3件)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/02 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

C30B 29/36 A ,  C30B 23/02 ,  H01L 33/00 A