特許
J-GLOBAL ID：200903049891881414
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-095453
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283525
出願日： 1996年04月17日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】 外部導出電極部としてのパッドの直下に出力MOSトランジスタ等の活性領域を形成することにより、チップサイズの微細化を図る。【解決手段】 半導体基板1上に形成した外部導出電極部としてのアルミパッド11上に半田バンプ電極16を形成する半導体装置において、前記パッド11のほぼ直下に出力MOSトランジスタ3を形成することで、チップサイズの微細化を図る。
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板上に形成した外部導出電極部としてのパッド上に半田バンプまたは金バンプから成るバンプ電極を形成する半導体装置において、前記パッドのほぼ直下の半導体基板に活性領域を形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/3205
H01L 21/92 602 N
, H01L 21/88 T
, H01L 21/92 602 Z
