特許

J-GLOBAL ID：200903049896561825

バンプ形成方法

発明者： 波多野 正喜
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-031958
公開番号（公開出願番号）：特開平8-227893
出願日： 1995年02月21日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【目的】 バンプ用金属膜の成膜時における膜厚のバラツキに依存することなく、半導体基板のパッド電極上に均一な大きさのバンプを形成することができるバンプ形成方法を提供する。【構成】 半導体基板1のパッド電極2上に金属多層膜6を介してバンプ8aを形成するにあたって、先ず、半導体基板1上に金属多層膜6の形成領域を開口した状態でレジスト膜7を形成する。次いで、レジスト膜7及び金属多層膜6を覆う状態でバンプ用金属膜8を成膜し、その後、レジスト膜7の表面と面一になるようにバンプ用金属膜8の表面を研磨する。続いて、レジスト膜7を剥離したのち、熱処理にてバンプ用金属膜8からなる半球状のバンプ8aを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板のパッド電極上に金属多層膜を介してバンプを形成する方法において、先ず、前記半導体基板上に前記金属多層膜の形成領域を開口した状態でレジスト膜を形成し、次いで、前記レジスト膜及び前記金属多層膜を覆う状態でバンプ用金属膜を成膜したのち、前記レジスト膜の表面と面一になるように前記バンプ用金属膜の表面を研磨し、続いて、前記レジスト膜を剥離したのち、熱処理にて前記バンプ用金属膜からなる半球状のバンプを形成することを特徴とするバンプ形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 301

FI (3件)：

H01L 21/92 604 A ,  H01L 21/60 301 P ,  H01L 21/92 604 N