半導体レーザの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-213712
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065262
出願日： 1996年08月13日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】高出力化が可能で、かつ信頼性が高い半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】 n型基板3の上面18にn型クラッド層4を形成する工程と、n型クラッド層4の上に活性層5を形成する工程と、活性層5の上にp型クラッド層6を形成する工程と、p型クラッド層6の上にp型コンタクト層を形成する工程と、活性層5の端面からなる出射面12にレーザ光15を照射することにより、出射面12に付着した不純物を除去する工程とを備える。

請求項（抜粋）：

周期律表III族から選ばれた第1の元素と周期律表V族から選ばれた第2の元素とを含むIII-V族化合物半導体からなり、第1の面とその第1の面に対向する第2の面とを有する第1導電型の基板を準備する工程と、その基板の第2の面に第1の電極層を形成する工程と、前記第1の元素と、前記第2の元素と、前記III族から選ばれた、前記第1の元素と異なる第3の元素とを含む第1導電型のクラッド層を前記基板の第1の面に形成する工程と、その第1導電型のクラッド層の上に前記第1の元素と前記第2の元素と前記第3の元素とを含む活性層を形成する工程と、その活性層の上に前記第1の元素と前記第2の元素と前記第3の元素とを含む第2導電型のクラッド層を形成する工程と、その第2導電型のクラッド層の上に前記第1の元素と前記第2の元素とを含むIII-V族化合物半導体からなる第2導電型のコンタクト層を形成する工程と、そのコンタクト層の上に第2の電極層を形成する工程と、前記活性層の端面からなる出射面にレーザ光線を照射することにより、前記出射面に付着した不純物を除去する工程と、レーザ光線が照射された前記出射面に保護膜を形成する工程とを備えた、半導体レーザの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭59-039086
電子部品の清浄化方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-100010 出願人：松下電工株式会社
固体表面の清浄化方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-114201 出願人：株式会社荏原総合研究所

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