特許
J-GLOBAL ID：200903049900654191
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-255030
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112589
出願日： 1992年09月24日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】本発明は、特定のふたつ以上の波長の光を任意の強度で出力できることを主要な目的とする。【構成】化合物半導体により導伝型の層列としてp型/n型/p型またはn型/p型/n型の層構造を形成し、この層構造内のふたつのpn接合近傍にそれぞれ近接する層よりバンドギャップエネルギの小さい組成のふたつの活性層を備え、前記ふたつの活性層に伝導帯と価電子帯の間の遷移波長を互いに異なる大きさに形成し、前記ふたつの活性層を独立に発光させる電流注入手段が設けられていることを特徴とする半導体発光素子。
請求項（抜粋）：
化合物半導体により導伝型の層列としてp型/n型/p型またはn型/p型/n型の層構造を形成し、この層構造内のふたつのpn接合近傍にそれぞれ近接する層よりバンドギャップエネルギの小さい組成のふたつの活性層を備え、前記ふたつの活性層に伝導帯と価電子帯の間の遷移波長を互いに異なる大きさに形成し、前記ふたつの活性層を独立に発光させる電流注入手段が設けられていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
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