特許

J-GLOBAL ID：200903049903496163

パターン形成方法

発明者： 城戸 秀作
出願人/特許権者： 鹿児島日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-157209
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083765
出願日： 2001年05月25日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：

【要約】【課題】レジストマスクと、そのレジストマスクに溶解を生じさせて広がる方向に変形させたレジストマスクとの2つのレジストパターンを用いて製造工程削減を図る方法があるが、変形レジストマスクの溶解変形時において、レジストの広がりの大半はその広がりを制御されることなく広がってしまうという欠点があった。【解決手段】変形レジストパターン48の近傍に予め凹部7を形成しておき、その凹部7の障壁部により変形レジストパターン48の広がりを堰き止めることにより、その変形レジストパターン48の変形を誘導、抑制、制御することで、目的とするレジストパターン及びそのパターンを利用した薄膜トランジスタを形成出来る。

請求項（抜粋）：

基板上に塗布膜を塗布した後に前記塗布膜をパターニングして塗布膜パターンとし、続いて前記塗布膜パターンを変形させて前記塗布膜パターンを広げることにより前記塗布膜パターンの変形パターンを形成するパターン形成方法であって、前記塗布膜パターンを変形させるときの前記塗布膜パターンの広がりが、その広がり方向の少なくとも一部に形成され、かつ、前記塗布膜パターンがその広がる方向に対して最初に遭遇する障壁部により堰き止められ、前記変形パターンのうち、前記塗布膜パターンが前記障壁部に向かって広がった部分の形状は、前記障壁部の前記塗布膜パターン側の平面形状により決定されることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (7件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/40 511 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (7件)：

G03F 7/40 511 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 570 ,  H01L 21/88 B ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 627 C ,  H01L 21/302 J

Fターム (58件)：

2H096AA25 ,  2H096HA05 ,  2H096HA11 ,  2H096JA04 ,  5F004AA09 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA29 ,  5F004DB01 ,  5F004EA01 ,  5F004EA26 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F033HH05 ,  5F033HH07 ,  5F033LL04 ,  5F033MM05 ,  5F033MM26 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ26 ,  5F033VV01 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX24 ,  5F033XX33 ,  5F046AA28 ,  5F046DA02 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE24 ,  5F110EE37 ,  5F110EE50 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG23 ,  5F110GG24 ,  5F110HK02 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110NN02 ,  5F110NN24 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ03