特許

J-GLOBAL ID：200903049904106741

原料ガス供給装置及びCVD装置

発明者： 早川 幸宏 ,  牧野 憲史 ,  片岡 有三 ,  川角 保志
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-338807
公開番号（公開出願番号）：特開平5-239653
出願日： 1992年12月18日
公開日（公表日）： 1993年09月17日
要約：

【要約】原料ガスを安定して所望の量に精密に制御しながら供給することにより、CVD法による堆積膜の形成を良好なものとする。その為の1つの方法は液体状の原料物質を減圧しながら沸騰させるものであり、これにより100%原料のガスを大量に生成できる。又、別の方法はガスの温度を均一にしかも精密に制御しながら反応室に供給するものであり、加熱整流板を設けるものである。

請求項（抜粋）：

液体状の原料物質より気体状の原料物質を生成し、CVD装置の反応室内に該気体状の原料物質を供給する原料ガス供給装置において、該液体状の原料物質を収容する容器と、該容器内の圧力を減じる減圧手段と、該容器内の該原料物質を加熱する加熱手段と、を有し、該液体状の原料物質を沸騰させることを特徴とする原料ガス供給装置。

IPC (2件)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/18

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平2-104667
  
• 特開平1-240663
  
• 特公昭48-031027
  

審査官引用 (3件)

• 特開平2-104667
  
• 特開平1-240663
  
• 特公昭48-031027