プラズマエッチング方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-049194
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252213
出願日： 2001年02月23日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：

【要約】【課題】プロセス制御が容易で、エッチングレートの面内均一性の優れたプラズマエッチング方法を提供する。【解決手段】エッチングガスと希釈ガスとのプラズマを上部電極21と下部電極5との間に発生させて、このプラズマでのイオンと中性粒子との電荷交換反応により中性粒子をイオン化して半導体ウエハWに入射させてこのウエハをエッチングする。このときに、プラズマの均一性を高めるために上部電極の周りに設けられたシールドリング55の使用状態に応じて、前記希釈ガスとして使用するヘリウムガスとアルゴンガスとの混合比を変えて使用する。

請求項（抜粋）：

エッチングガスと希釈ガスとのプラズマを発生させて、このプラズマでのイオンと中性粒子との電荷交換反応により中性粒子をイオン化して被エッチング体に入射させて被エッチング体をエッチングするのに際して、前記希釈ガスとしてヘリウムガスとアルゴンガスとをその混合比を選定して、場合に使用することを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (2件)：

H05H 1/46 M , H01L 21/302 J

Fターム (9件)：

5F004AA01 , 5F004BA09 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004DA00 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB03

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-155819 出願人：日本電気株式会社
プラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-161308 出願人：東京エレクトロン株式会社
耐食性セラミック部材
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-337224 出願人：京セラ株式会社

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