特許

J-GLOBAL ID：200903049926472920

半導体装置

発明者： 高橋 良和
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-220542
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211259
出願日： 1992年08月20日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：

【要約】【目的】一つの容器内に収容された複数の半導体素体の上面の電極と端子導体の接続を導線のボンディングで行うと上面からの放熱がほとんどなく、容量が制約されると共にインダクタンスが高い問題を解決する。【構成】容器の外部に一面が露出する端子体の内面にばね体を接触させ、半導体素体上面の電極に接触する接触体とそのばね体とにより電流と放熱の通路を形成するか、あるいは接触体とそれと導電板をはさんで結合される加圧体とばね体とにより放熱通路を形成し、導電板を端子体に接続することにより電流の通路を形成する。あるいはまた、半導体素体を一つずつ個別容器に収容した上で、外部容器の蓋板と個別容器の間に、低沸点液体を利用するか、電極体を延長させて熱伝導を図る。これにより、容器の両面からの冷却が可能になると共にインダクタンスが低くなる。

請求項（抜粋）：

一つの容器内に複数個の半導体素体が収容され、各素体の一面の電極に、その熱膨脹係数が半導体材料の熱膨脹係数に近似した金属よりなる接触体が接触し、その接触体と容器外部に一面が露出する一つの端子体との間にそれぞれ存在する電気良導性のばね体により前記電極に対して加圧されることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/48 ,  H01L 23/34

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-053055
  
• 特開平3-025963
  
• 特開昭49-115615
  
• 特表昭55-500385