特許

J-GLOBAL ID：200903049931431565

マイクロ波励起プラズマ処理装置

発明者： 青木 克明 ,  山内 健資
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-281685
公開番号（公開出願番号）：特開平9-125267
出願日： 1995年10月30日
公開日（公表日）： 1997年05月13日
要約：

【要約】【課題】 拡散板を配置せずに低ダメージで高速かつ均一な加工が可能で、さらに拡散板へのイオン照射に起因する金属やパーティクルによる汚染発生を防止したマイクロ波励起プラズマ処理装置を提供するものである。【解決手段】 上部にプラズマ生成室、およびこのプラズマ生成室の下方に形成され、被処理部材が配置される処理室を有する真空チャンバと、前記プラズマ生成室内に処理ガスを供給するための複数のガス供給管と、前記チャンバの上壁部の開口に配置された誘電体窓と、前記誘電体窓を含む前記チャンバの上壁部に配置された矩形状の導波管と、を具備し、前記各ガス供給管の出口部近傍の前記チャンバの内面には、前記各供給管からのガスを前記誘電体窓の下面に向けて吹き出させるための遮蔽部がそれぞれ配置されていることをを特徴としている。

請求項（抜粋）：

上部にプラズマ生成室、およびこのプラズマ生成室の下方に形成され、被処理部材が配置される処理室を有する真空チャンバと、前記プラズマ生成室内に処理ガスを供給するための複数のガス供給管と、前記チャンバの上壁部の開口に配置された誘電体窓と、前記誘電体窓を含む前記チャンバの上壁部に配置された矩形状の導波管と、を具備し、前記各ガス供給管の出口部近傍の前記チャンバの内面には、前記各供給管からのガスを前記誘電体窓の下面に向けて吹き出させるための遮蔽部がそれぞれ配置されていることを特徴とするマイクロ波励起プラズマ処理装置。

IPC (5件)：

C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46 ,  C23C 14/24

FI (5件)：

C23F 4/00 D ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 B ,  C23C 14/24 T ,  H01L 21/302 B