特許
J-GLOBAL ID：200903049931757339
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-324925
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160327
出願日： 1991年12月10日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【目的】半導体素子が高密度化、高集積化し電極数が大幅に増大したとしても該各電極を外部電気回路に正確、且つ確実に電気的接続することができる半導体装置を提供することにある。【構成】中心部から外周部に向かって扇状に広がる複数個のメタライズ配線層4を有する基板1と外部リード端子2と半導体素子3とから成る半導体装置であって、前記メタライズ配線層4の基板1中心部に半導体素子3の各電極が、また基板1外周部に外部リード端子2が各々電気的に接続され、且つ前記メタライズ配線層4を有する基板1、半導体素子3及び外部リード端子2の一部が樹脂から成る被覆体6で被覆されている。
請求項（抜粋）：
中心部から外周部に向かって扇状に広がる複数個のメタライズ配線層を有する基板と外部リード端子と半導体素子とから成る半導体装置であって、前記メタライズ配線層の基板中心部に半導体素子の各電極が、また基板外周部に外部リード端子が各々電気的に接続され、且つ前記メタライズ配線層を有する基板、半導体素子及び外部リード端子の一部が樹脂で被覆されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/50
, H01L 21/56
, H01L 23/12
, H01L 23/28
