特許

J-GLOBAL ID：200903049935376089

有機メモリ素子及びその製造方法

発明者： 周 原提 ,  崔 誠宰 ,  崔 在榮 ,  李 相均 ,  李 光煕
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-269165
公開番号（公開出願番号）：特開2008-166710
出願日： 2007年10月16日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：

【課題】有機メモリ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1電極と第2電極との間に有機メモリ層を含む有機メモリ素子において、第1電極と有機メモリ層との間に金属ナノ粒子層を含む有機メモリ素子及びその製造方法を提供する。本発明の有機メモリ素子は、正電圧だけを使用してメモリ素子が駆動可能になるので、一個のダイオードと一個の抵抗体とを含む1D1R構造によってパッシブマトリクスを具現し、高集積、超高速、高用量、低消費電力、低価格などの特性を実現できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1電極と第2電極との間に有機メモリ層を含む有機メモリ素子において、前記有機メモリ層と第1電極との間に金属ナノ粒子層を含むことを特徴とする、有機メモリ素子。

IPC (4件)：

H01L 27/28 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40

FI (6件)：

H01L27/10 449 ,  H01L29/28 100B ,  H01L29/28 220C ,  H01L29/28 250G ,  H01L29/28 220A ,  H01L29/28 310J

Fターム (10件)：

5F083FZ07 ,  5F083HA10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33