特許
J-GLOBAL ID：200903049936205750
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 恒久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-081934
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283448
出願日： 1992年04月03日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】 十分な絶縁を得、製造工程数を抑える。【構成】 リードフレーム1上に制御素子3を搭載する絶縁材7を、絶縁フイルム6と、その両面の熱可塑型樹脂接着層8a,8bとから三層構造とし、絶縁材7での制御素子3の搭載を、電力半導体素子2の半田付け搭載と同時にする。【効果】 制御素子3とリードフレーム1との離間距離を絶縁材7の厚さで調整する。
請求項（抜粋）：
リードフレーム上に、半田を介して電力半導体素子が搭載され、絶縁材を介して制御素子が搭載された半導体装置において、前記絶縁材は、絶縁フイルムと、該絶縁フイルムの両面に形成された樹脂接着層とから三層構造とされ、該樹脂接着層は、電力半導体素子の半田付け時の熱によつて可塑化するよう構成されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/52
, H01L 23/48
, H01L 25/00
