特許

J-GLOBAL ID：200903049941418508

画像形成装置

発明者： 鈴木 慎也
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 高梨 幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-199570
公開番号（公開出願番号）：特開2003-015370
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】 表面電位計を必要としない構成でα-si感光体の暗減衰による表面電位の変化を測定して、帯電器印加電圧、露光量現像バイアス等の画像形成条件を調整する。【解決手段】 非画像形成時にα-si感光体を接触帯電器で注入帯電し、定電圧制御した接触転写手段への流入電流から暗減衰を測定し、画像形成条件にフィードバックをする。非画像形成時にα-si感光体を接触帯電器で注入帯電し、再び帯電部分が接触帯電器を通過するときに、定電圧制御にした接触帯電器への流入電流から暗減衰を測定し、画像形成条件にフィードバックをする。

請求項（抜粋）：

静電潜像が形成されるアモルファスシリコン感光体である像担持体と、前記像担持体を帯電する接触帯電手段と、静電潜像を形成する露光手段と、前記像担持体上にトナー像を顕像化する現像手段と、前記トナー像を転写材上に転写する接触転写手段を備えた画像形成装置において、非画像形成時に前記像担持体を前記接触帯電手段で一様に帯電し、帯電手段の像担持体回転方向下流に備えられた前記接触転写手段に流れる電流を検知することで前記像担持体の表面電位を検知し、前記像担持体の暗減衰を測定することを特徴とする画像形成装置。

IPC (4件)：

G03G 15/00 303 ,  G03G 15/02 101 ,  G03G 15/02 102 ,  G03G 15/16 103

FI (4件)：

G03G 15/00 303 ,  G03G 15/02 101 ,  G03G 15/02 102 ,  G03G 15/16 103

Fターム (16件)：

2H027DA01 ,  2H027DA02 ,  2H027DE04 ,  2H027DE07 ,  2H027EA01 ,  2H027EA02 ,  2H027EA05 ,  2H200FA18 ,  2H200GA18 ,  2H200HA01 ,  2H200HB12 ,  2H200HB46 ,  2H200JA26 ,  2H200JA30 ,  2H200MB04 ,  2H200PB05