特許

J-GLOBAL ID：200903049941428007

半導体装置の製造方法

発明者： 大野 淳一 ,  佐藤 隆夫 ,  高野 晃成 ,  土肥 雅之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-196233
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016022
出願日： 2000年06月29日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】 ウェーハからチップを切り出す工程において、薄いウェーハが割れたり、欠けたりすることの少ない半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 バンプ2を形成したウェーハ1表面にバンプを被覆するように樹脂封止し、この封止樹脂3をバンプが露出するまで研削し、封止樹脂が形成されている面側から完成時のチップの厚さより深くダイシングしてダイシング溝11を形成し、ダイシングされたウェーハ裏面を砥石12で研削してこのウェーハを個々のチップ7に分離する。先にウェーハ上に樹脂封止を施してから、ウェーハに所定の深さまでダイシングを行い、その後ダイシングされた部分まで裏面研削を行ってウェーハをチップ毎に分離する方法を適用しているので諸工程中に、例えば、50μmまで研削されて薄くなったウェーハが割れたり、欠けたりする不良を十分防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

半導体素子が形成された半導体ウェーハ主面に接続用突起電極を形成する工程と、前記半導体ウェーハ主面上に前記突起電極を被覆するように樹脂封止体を形成する工程と、前記樹脂封止体の表面を前記突起電極が露出するまで研削する工程と、前記半導体素子が形成された半導体ウェーハのダイシングラインに沿って、前記樹脂封止体が形成されている主面側から完成時の半導体チップの厚さより深い溝を形成する工程と、前記半導体ウェーハの裏面を前記完成時の半導体チップの厚さまで研削してこの半導体ウェーハを個々の半導体チップに分離する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/56

FI (5件)：

H01L 21/56 R ,  H01L 21/78 L ,  H01L 21/78 Q ,  H01L 21/78 R ,  H01L 21/78 S

Fターム (5件)：

5F061AA01 ,  5F061CA05 ,  5F061CA21 ,  5F061CB02 ,  5F061CB13