特許

J-GLOBAL ID：200903049947382327

半導体装置用リードフレーム

発明者： 芹 澤 精 一 ,  井 川 匡 弘
出願人/特許権者： 芹澤 精一
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-274287
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111909
出願日： 1997年10月07日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】 熱処理によって発生するPdの酸化物を極端に減少させ、また下地NiのPd中への拡散を防ぎ、下地NiとAgとの密着性に優れ、またPdめっき厚も薄くて、ワイヤーボンディング性、半田濡れ性が熱処理工程によって劣化しなくなり、経済的で信頼性の高い半導体装置用リードフレームを提供する。【解決手段】(1) リードフレーム素材上に、第1中間層としてニッケル(Ni)またはニッケル合金層、第2中間層としてパラジウム(Pd)、金(Au)または銅(Cu)のいずれか1種のめっき層、第3中間層として銀(Ag)めっき層、さらに最上層としてパラジウム(Pd)またはパラジウム合金めっき層からなることを特徴とする半導体装置用リードフレーム。(2) 第2中間層の厚みが0.005〜0.1μmであり、その上に設けられた第3中間層の厚みが0.005〜5μmであり、さらにその上に設けられた最上層の厚みが0.005〜1.0μm。

請求項（抜粋）：

リードフレーム素材上に、第1中間層としてニッケル(Ni)またはニッケル合金層、第2中間層としてパラジウム(Pd)、金(Au)または銅(Cu)のいずれか1種のめっき層、第3中間層として銀(Ag)めっき層、さらに最上層としてパラジウム(Pd)またはパラジウム合金めっき層からなることを特徴とする、半導体装置用リードフレーム。

FI (2件)：

H01L 23/50 V ,  H01L 23/50 K