特許

J-GLOBAL ID：200903049947600952

電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： 小林 純一郎
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-266416
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120253
出願日： 1992年10月06日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】 T字型ゲートの機械的強度が強く、寄生容量の増加のない電界効果トランジスタを提供する。【構成】 T字ゲート17の支柱部の近傍に第1絶縁層18と第2絶縁層19で囲まれた中空部20を形成し、寄生容量の低減を図っている。また、T字ゲート17の上部幅広部17aの下面は、第2絶縁層19で支持されている。このため、T字型ゲートの機械強度は向上する。

請求項（抜粋）：

支柱部と幅広部とから成るT字型ゲート電極を有する電界効果トランジスタにおいて、前記支柱部の近傍を中空となし、前記幅広部の下部を絶縁物で支持したことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 29/80 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-268069
  
• 特開平3-165526
  
• 特開平4-340231
  
• 特開昭58-115868