特許
J-GLOBAL ID：200903049952131600
フォトマスク、フォトマスクの製造方法、およびフォトマスクの製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-024125
公開番号（公開出願番号）：特開2004-233820
出願日： 2003年01月31日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：
【課題】HTマスクの欠陥修正において、欠陥の修正部分の加工精度許容マージンを大きくすることができるフォトマスク等を提供する。【解決手段】HTの配線パターン1の白欠陥の中心部分には、透過率が透過率が0〜2%の範囲内の遮光領域11が形成される。また、遮光領域11に隣接した領域であって、欠陥が場合の仮想パターンのエッジの内側の領域からそのエッジの外側の領域まで、透過率が10〜25%の範囲内の半透明領域12が形成される。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
透明基板と、
該透明基板に設けられた半透明膜または遮光膜と、
該半透明膜または遮光膜が完全に良好に形成された場合の完成パターンを仮定した場合に、該完成パターンのうち欠損した部分である白欠陥部と、
該白欠陥部内に設けられた透過率が0%〜2%または2%〜6%の遮光部と、
該遮光部の周辺部分に形成され、前記遮光部より透過率が大きな半透明部とを備えた、フォトマスク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F1/08 W
, G03F1/08 V
, H01L21/30 502P
2H095BD32
, 2H095BD33
, 2H095BD34
, 2H095BD35
