特許
J-GLOBAL ID：200903049954280394
半導体装置用リードフレーム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
穂高 哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-310238
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148508
出願日： 1995年11月29日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【目的】 耐湿性あるいは耐熱衝撃性などの信頼性が十分に向上した樹脂封止型半導体装置に好適に用いられる半導体装置用リードフレームを提供する【構成】 リードフレーム本体の全面に、Cu、Zn及びNiから選ばれる少なくとも1種の金属イオンを含む電解液中で限界電流密度を超える電流密度で電解処理して得られる針状若しくは樹枝状の突起状電着物からなる粗化層、Cu、Zn、Ni、In、Mo、Co及びCrから選ばれる少なくとも1種の金属イオンを含む電解液中で限界電流密度以下の電流密度で電解処理して得られる平滑な電着物からなる被覆層を順次設けてなる半導体装置用リードフレーム。
請求項（抜粋）：
リードフレーム本体の全面に、Cu、Zn及びNiから選ばれる少なくとも1種の金属イオンを含む電解液中で限界電流密度を超える電流密度で電解処理して得られる針状若しくは樹枝状の突起状電着物からなる粗化層、Cu、Zn、Ni、In、Mo、Co及びCrから選ばれる少なくとも1種の金属イオンを含む電解液中で限界電流密度以下の電流密度で電解処理して得られる平滑な電着物からなる被覆層を順次設けてなる半導体装置用リードフレーム。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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