特許

J-GLOBAL ID：200903049959114190

薄膜トランジスタ

発明者： 山本 睦夫
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-071102
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260643
出願日： 1993年03月05日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタにおいて、島状半導体領域の段差部におけるゲイト電極・配線の断線とを防止することによって信頼性、歩留りを向上させ、特性の改善を図る。【構成】 ゲイト電極において、島状薄膜半導体領域の段差部を横断する部分の幅を、島状半導体領域中央部よりも広くすることにより、段差部でのくさび状の断線の影響を最小限に留める。

請求項（抜粋）：

島状の薄膜半導体領域と、前記半導体領域を横断するゲイト電極とを有する薄膜トランジスタにおいて、前記半導体領域の段差部における前記ゲイト電極の幅が、前記半導体領域中央部におけるゲイト電極の幅よりも広いことを特徴とする薄膜トランジスタ。