特許

J-GLOBAL ID：200903049961265260

半導体発光素子

発明者： 渡辺 秀明
出願人/特許権者： オムロン株式会社
代理人 (1件)： 中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-274702
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090641
出願日： 1991年09月25日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】 電流狭窄構造を有する発光素子において電流阻止層に電流通路領域を形成するための不純物拡散工程で、拡散深さの制御を容易にする。【構成】 n-GaAs基板2の上にn-AlGaAs下部クラッド層3、p-AlGaAs活性層4、p-AlGaAs上部クラッド層5、n-InGaP電流ブロック層6、p-AlGaAsキャップ層7を順次成長させる。この後、Zn拡散工程によりキャップ層7から上部クラッド層5までZnを拡散させ、p-Zn拡散領域(電流通路領域)8を形成する。ここで、InGaPとAlGaAsでは拡散スピードが4〜12倍異なるため、電流ブロック層6から上部クラッド層5へ拡散が進むと、拡散スピードが1/4〜1/12に低下するので、拡散深さを容易に制御できる。

請求項（抜粋）：

AlxGa1-xAs(0≦x≦1)活性層の上方に第1導電型のAlGaAs半導体層と第2導電型のInGaP半導体層を順次形成し、当該両半導体層によってpn接合電流阻止層を形成し、このInGaP半導体層の一部に拡散によって第1導電型の電流通路領域を形成したことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭58-197786
  
• 特開昭59-123288