特許

J-GLOBAL ID：200903049961576142

多結晶シリコン棒製造用化学的蒸気析着方式

発明者： ケック,デービッド,ダブリュ ,  ラッセル,ロナルド,オー ,  ドーソン,ハワード,ジエイ.
出願人/特許権者： アドバンスド シリコン マテリアルズ リミテツド ライアビリテイ カンパニー
代理人 (1件)： 八木田 茂 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-538947
公開番号（公開出願番号）：特表2002-508294
出願日： 1998年12月15日
公開日（公表日）： 2002年03月19日
要約：

【要約】本発明は半導体に適用する大径、高純度多結晶シリコン棒をすばやく製造するための方法及び装置に関し、“被覆効果(skin effect) ”によってシリコン棒の外側の15%である環状区域に電流の少なくとも70%を集中させる約2kHz-800kHzの範囲内の一定した又は可変の高周波数を有する、A.C.電流を電力供給設備によりシリコン棒に供給することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも1個の反応室を有する反応容器; 該反応室中に延在する一対の電極; 2種の電極間を流れる電流によりフィラメントを加熱するため該電極の2種の異なる一方に接続されたフィラメントの対向する端部を反応室内に配設した少くとも1個のシリコンフィラメント; 化学的蒸着により加熱したフィラメント上に多結晶シリコンを反応生成しかつ析着させ、それによって多結晶シリコン棒を生成するため、反応室中にガスを供給するための反応容器の内部に接続されシリコン含有ガス源;及び 前記電極群に接続されたシリコン棒の内方部より外方区域により高い加熱を提供するためシリコン棒の外側区域に隣接する外表面を通して流れる電流の大部分を被覆効果を生成するに充分に高い周波数を有する高周波数のA.C.電流を供給する電力供給設備;とからなるシリコン棒製造装置。

IPC (3件)：

C01B 33/02 ,  C23C 16/24 ,  C30B 29/06

FI (3件)：

C01B 33/02 E ,  C23C 16/24 ,  C30B 29/06 D

Fターム (24件)：

4G072AA01 ,  4G072FF10 ,  4G072GG01 ,  4G072HH03 ,  4G072HH05 ,  4G072HH07 ,  4G072HH10 ,  4G072NN13 ,  4G072RR11 ,  4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077DB01 ,  4G077EG16 ,  4G077HA20 ,  4K030AA06 ,  4K030BA29 ,  4K030BB03 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA10 ,  4K030JA18 ,  4K030KA23 ,  4K030LA11

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平1-208312
  
• 特開昭63-074909
  

審査官引用 (4件)

• 特開平1-208312
  
• 特開昭63-074909
  
• 特開平1-208312
  
• 特開昭63-074909