特許

J-GLOBAL ID：200903049965519925

光半導体集積回路およびその製造方法

発明者： 浜本 貴一 ,  竹内 剛 ,  小松 啓郎 ,  田口 剣申 ,  佐々木 達也 ,  林 雅子 ,  水戸 郁夫
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-002339
公開番号（公開出願番号）：特開平9-191152
出願日： 1996年01月10日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：

【要約】【課題】 複数波長多重信号を送受する双方向通信素子を構成しようとする場合、WDMカップラー等の波長弁別素子が必要とされるため、小型化が困難になり、かつ製造工程が多くなる。【解決手段】 半導体基板1上に少なくとも分岐導波路2と、分岐導波路2の一方に接続された半導体レーザー3と、分岐導波路2の他方に接続された第1の半導体受光素子5と、第1の半導体受光素子5の後段に配置されて、第2の半導体受光素子が接続可能な受動導波路9とが集積される。第2の半導体受光素子の受光感度波長帯域が第1の半導体受光素子の受光感度波長帯域よりも長くされ、第2の半導体受光素子を外部接続することで2波長多重信号を受信することが可能となり、かつ、各素子のコア層が素子間を接続する領域においても光伝搬方向に連続して形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に少なくとも分岐導波路と、前記分岐導波路の一方に接続された半導体レーザーと、前記分岐導波路の他方に接続された第1の半導体受光素子と、前記第1の半導体受光素子の後段に配置されて、第2の半導体受光素子が接続可能な受動導波路とが集積された光半導体集積回路であって、前記第2の半導体受光素子の受光感度波長帯域が前記第1の半導体受光素子の受光感度波長帯域よりも長く、前記第2の半導体受光素子を外部接続することで2波長多重信号を受信することが可能とされ、かつ、前記各素子のコア層が素子間を接続する領域においても光伝搬方向に連続して形成されていることを特徴とする光半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/122 ,  G02B 6/13

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/12 B ,  G02B 6/12 M

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 光機能素子、これを含む光集積素子およびそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-077998   出願人：日本電信電話株式会社