特許
J-GLOBAL ID:200903049968404509

圧電薄膜、圧電素子及びそれらを用いたアクチュエータ機構と情報記録再生装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-085811
公開番号(公開出願番号):特開2000-285626
出願日: 1999年03月29日
公開日(公表日): 2000年10月13日
要約:
【要約】【課題】 圧電薄膜は、その化学組成および基板の平滑性の差による結晶配向のばらつきなどが原因で圧電素子やアクチュエータとして十分な圧電特性を得ることが困難であり、実用面においても特性のばらつきが大きいという課題があった。【解決手段】 基板の凹凸による特性のばらつきを防ぐ方法としては、成膜する基板表面の表面粗さ(Ra)が0.05μm以下の母材に成膜する。使用する基板によっては、表面性のよい母材を得ることが困難な場合がある。そのような場合には、研磨機を用いて研磨した後に成膜をしたり、表面性改善膜を圧電薄膜を成膜する前に成膜して、表面性を高める方法を用いる。
請求項(抜粋):
表面粗さ(Ra)が0.05μm以下の基板と、前記基板上に形成された圧電体薄膜からなる圧電薄膜。
IPC (4件):
G11B 21/16 ,  G11B 21/10 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187
FI (4件):
G11B 21/16 ,  G11B 21/10 N ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/18 101 D
Fターム (9件):
5D059AA01 ,  5D059BA01 ,  5D059CA05 ,  5D059CA08 ,  5D059DA31 ,  5D059DA33 ,  5D096AA02 ,  5D096FF06 ,  5D096NN03

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