特許

J-GLOBAL ID：200903049970499282

バイポーラスイッチングPCMO薄膜の形成方法及びシステム

発明者： ティンカイ・リー ,  ローレンス・ジェイ・チャネスキー ,  ウェイウェイ・ザン ,  デイビッド・アール・エバンス ,  シェン・テン・スー
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-141775
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340806
出願日： 2005年05月13日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：

【課題】 バイポーラスイッチング特性を備えたPCMO薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】 下部電極を形成する工程602と、超微細結晶PCMO層を堆積する第1堆積工程606と、多結晶PCMO層を堆積する第2堆積工程608と、バイポーラスイッチング特性を備える多層PCMO膜を形成する工程610と、を有する。更に好適には、PCMO膜上に上部電極を形成する工程612を有する。多結晶PCMO層が超微細結晶PCMO層の上部に形成されると、短いパルス幅の負電圧パルスで高抵抗状態に書き込むことができる。この多層PCMO膜は、短いパルス幅の正電圧パルスで低抵抗状態にリセットできる。同様に、超微細結晶PCMO層が多結晶PCMO層の上部に形成されると、短いパルス幅の正電圧パルスで高抵抗状態に書き込むことができ、短いパルス幅の負電圧パルスで低抵抗状態にリセットできる。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

正負両極性のパルス印加により抵抗状態がスイッチングするバイポーラスイッチング特性を備えるPr1-xCaxMnO3(PCMO)薄膜の形成方法であって、 下部電極を形成する工程と、 超微細結晶PCMO層を堆積する第1堆積工程と、 多結晶PCMO層を堆積する第2堆積工程と、 バイポーラスイッチング特性を備える多層PCMO膜を形成する工程と、を有することを特徴とするPCMO薄膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L21/205 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/10 ,  H01L29/06

FI (4件)：

H01L21/205 ,  H01L27/10 451 ,  H01L29/06 601N ,  H01L27/04 C

Fターム (16件)：

5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ20 ,  5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045DA61 ,  5F045EE02 ,  5F045EE12 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083PR21