半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-332521
公開番号（公開出願番号）：特開平11-167798
出願日： 1997年12月03日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：

【要約】【課題】半導体チップを封止した状態で行線,列線の欠陥救済を行う。【解決手段】正規デコーダドライバと、予備デコーダドライバとを有し、前記予備デコーダドライバの不活性化制御用トランジスタのオン動作によって前記正規デコーダドライバの不活性化トランジスタをオンさせて正規デコーダドライバを不活性化するとともに前記予備デコーダドライバを置換使用する半導体集積回路装置であって、前記予備デコーダドライバには、不良ラインのアドレスを記憶し、読み出し時には前記アドレスに対応する前記正規デコーダドライバの不活性化トランジスタをオンさせる信号を出力する不揮発性メモリ部が設けられ、前記不揮発性メモリ部は前記不活性化制御用トランジスタおよび前記不活性化トランジスタに接続されている。

請求項（抜粋）：

正規デコーダドライバと、予備デコーダドライバとを有し、前記予備デコーダドライバの不活性化制御用手段のオン動作によって前記正規デコーダドライバの不活性化手段をオンさせて正規デコーダドライバを不活性化するとともに前記予備デコーダドライバを置換使用する半導体集積回路装置であって、前記予備デコーダドライバには、不良ラインのアドレスを記憶し、読み出し時には前記アドレスに対応する前記正規デコーダドライバの不活性化手段をオンさせる信号を出力する不揮発性メモリ部が設けられ、前記不揮発性メモリ部は前記不活性化制御用手段および前記不活性化手段に接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

G11C 29/00 603 , G11C 11/413 , G11C 11/401

FI (3件)：

G11C 29/00 603 J , G11C 11/34 341 C , G11C 11/34 371 D

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