特許
J-GLOBAL ID：200903049972633229
薄膜圧力センサとその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-015148
公開番号（公開出願番号）：特開平6-229859
出願日： 1993年02月02日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 薄膜圧力センサに関し、製造工数が少なく、高精度で微細化することができ、他の半導体素子と同じ基板上に形成することができる。【構成】 シリコン等の基板1の上にPSG等の厚い第1の膜2を堆積し、その上にノンドープポリシリコン等の薄い第2の膜3を堆積し、この第2の膜3に不純物を選択的に導入して抵抗値を下げることによってピエゾ抵抗4を形成し、またこの第2の膜3に開口6を形成し、この開口6を通して第1の膜2の一部をエッチング除去してこの開口より大径の空洞を形成し、第2の膜3をこの空洞中に陥没させ基板の表面に密着させることによって密閉されたドーナツ状の空洞8を形成し、外圧による第2の膜3の変形によってピエゾ抵抗4の電気抵抗を変化させて圧力センサとする。基板1の上に導電性の膜を形成し、この膜と導電化した第2の膜との間の静電容量を変化させることもできる。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板の上に形成された空洞を有する第1の膜と、該第1の膜の上に、該空洞を覆って形成されたピエゾ抵抗を有する薄い第2の膜を有し、該第2の膜が該空洞の中に陥没して、該空洞の底面である該基板の表面に密着して閉塞されたドーナツ状の空洞を形成していることを特徴とする薄膜圧力センサ。
IPC (2件)：
G01L 9/04 101
, H01L 29/84
