フォトマスク外観検査装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-064835
公開番号（公開出願番号）：特開2000-258349
出願日： 1999年03月11日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】フォトマスクの外観検査を、実際にステッパでウェハ上に露光するときと同じ条件で、迅速かつ良好な精度で行えるようにすることを課題とする。【解決手段】フォトマスクS1のパターンを画像入力処理S2によって取り込み画像データ変換処理S3でマスクパターンデータS4に変換し、CADパターンS5をCADデータ変換処理S6によってマスクパターンデータS7に変換し、両者のマスクパターンデータに対してマスクパターンデータ照合・抽出処理S8を行い欠陥を含むパターン範囲を抽出し、その範囲のマスクパターンデータを、入力した光学条件S10の下で光強度シミュレーション処理S9することで、光強度分布データS11、S12が得られ、これらをデータ比較評価処理S13することでデータ比較評価結果S14を得る。

請求項（抜粋）：

フォトマスクを画像入力処理したマスクパターンとCADパターンを照合することによってマスク上の欠陥を含むパターン範囲を抽出し、その抽出された範囲についてのみのマスクパターンの光強度シミュレーション結果とCADパターンの光強度シミュレーション結果を比較評価することにより、露光条件での欠陥判定やデフォーカス時の欠陥特性の評価が迅速かつ精度良く行われるフォトマスク外観検査装置であって、検査するフォトマスクの画像を入力する画像入力手段と、前記画像入力手段によって得られたフォトマスクの画像をシミュレーション用のマスクパターンデータに変換する画像データ変換手段と、CADパターンをシミュレーション用のマスクパターンデータに変換するCADデータ変換手段と、前記フォトマスクのマスクパターンデータと前記CADパターンのマスクパターンデータを照合して欠陥判定を行い、シミュレーションするパターン範囲を抽出するマスクパターンデータ照合・抽出手段と、前記マスクパターンデータ照合・抽出手段によって抽出されたパターン範囲におけるフォトマスクのマスクパターンデータの光強度分布を露光波長やデフォーカスなどの所定の光学条件を設定してシミュレーション計算する光強度シミュレーション手段と、前記マスクパターンデータ照合・抽出手段によって抽出されたパターン範囲におけるCADパターンのマスクパターンデータの光強度分布を露光波長やデフォーカスなどの所定の光学条件を設定してシミュレーション計算する光強度シミュレーション手段と、前記光強度シミュレーション手段によって得られたフォトマスクパターンの光強度分布とCADパターンの光強度分布を比較することで、欠陥判定や欠陥の転写特性等の解析を行う光強度分布評価手段と、を具備することを特徴とするフォトマスク外観検査装置。

Fターム (12件)：

2G051AA56 , 2G051AB02 , 2G051AC04 , 2G051AC21 , 2G051CA04 , 2G051CB01 , 2G051CB02 , 2G051EA11 , 2G051EA12 , 2G051EA14 , 2G051ED04 , 2G051ED11

引用特許：

審査官引用 (5件)

レチクル外観検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-112702 出願人：日本電気株式会社
特開平3-270148
特開平4-286971

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