特許

J-GLOBAL ID：200903049975807082

原子層エピタキシー装置および原子層エピタキシー法

発明者： 渡部 純一 ,  小杉 清久 ,  代木 育夫
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 福島 康文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-064149
公開番号（公開出願番号）：特開平5-270997
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月19日
要約：

【要約】【目的】薄膜形成技術のひとつである原子層エピタキシー法および原子層エピタキシー装置に関し、大量生産に適し、しかも膜質を低下させない原子層エピタキシー装置および原子層エピタキシー法を実現することを目的とする。【構成】複数の異種の原料ガス雰囲気中に交互に基板を曝し、基板面に交互に成膜を行なうことで、所定の膜厚を得る原子層エピタキシー装置において、筒状の外壁8と内壁9を同心円状に配置することで、内外壁8、9間にリング状の処理室10を形成したこと、該リング状の処理室10内において、複数枚の基板3を、円周方向に所定の間隔をおいて、しかも接線方向に保持する基板ホルダー11を設けたこと、リング状処理室10の中心を回転中心とする回転機構12に、前記の基板ホルダー11を取り付けたこと、を特徴とする構成とする。

請求項（抜粋）：

複数の異種の原料ガス雰囲気中に交互に基板を曝し、基板面に交互に成膜を行なうことで、所定の膜厚を得る原子層エピタキシー装置において、筒状の外壁(8) と内壁(9) を同心円状に配置することで、内外壁(8,9) 間にリング状の処理室(10)を形成したこと、該リング状の処理室(10)内において、複数枚の基板(3) を、円周方向に所定の間隔をおいて、しかも接線方向に保持する基板ホルダー(11)を設けたこと、リング状処理室(19)の中心を回転中心とする回転機構(12)に、前記の基板ホルダー(11)を取り付けたこと、を特徴とする原子層エピタキシー装置。

IPC (3件)：

C30B 29/68 ,  C30B 23/08 ,  C30B 25/02