特許

J-GLOBAL ID：200903049977943064

プラズマ処理方法及びその装置

発明者： 豊田 直樹 ,  南光 正平
出願人/特許権者： 株式会社ニッシン
代理人 (1件)： 杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-368133
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170817
出願日： 2000年12月04日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：

【要約】【課題】 簡易な方法または装置でもってプラズマ処理を制御して、プラズマ処理を精度良く行うことを課題とする。【解決手段】 チャンバ1とプラズマ生成用電源3と生成用電力制御部4とを備えるとともに、チャンバ1内には測定プローブ5が挿入されており、測定用電源6と測定プローブ5とは同軸ケーブル7とプローブ制御部8とを介して接続されている。プラズマ生成用電源3からチャンバ1内にプラズマPMを生成して、そのプラズマPMが生成されたチャンバ1内に基板Wを投入する。測定用電源6から測定用電力を測定プローブ5に供給して、プラズマPMによる測定用の反射率から測定プローブ5によって電子密度を測定する。測定された電子密度に基づいて、生成用電力制御部4を操作することによって、生成用電力を操作してプラズマ処理を行う。

請求項（抜粋）：

プラズマ中の被処理物にプラズマ処理を行うプラズマ処理方法であって、(a)プラズマの特性を示すプラズマ密度情報を測定するためのプラズマ密度情報測定用電源からプラズマ密度情報測定用電力をプラズマに供給する過程と、(b)プラズマ密度情報測定用プローブを用いて、プラズマ負荷による前記プラズマ密度情報測定用電力の反射または吸収に基づいてプラズマ密度情報を測定する過程と、(c)測定された前記プラズマ密度情報に基づいてプラズマ処理を制御する過程とを備えていることを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

C23C 16/44 J ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 E

Fターム (14件)：

4K030DA06 ,  4K030KA30 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F004CB06 ,  5F004CB15 ,  5F045AA08 ,  5F045BB16 ,  5F045EH14 ,  5F045EH20