特許

J-GLOBAL ID：200903049983585536

半導体集積回路

発明者： マーティン シュレムス ,  ジャック マンデルマン ,  ヨアヒム ヘプフナー ,  ヘルベルト シェーファー ,  ラインハルト シュテングル
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト ,  インターナショナル ビジネス マシーンズ コーポレーション
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-180811
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031427
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 レンチ側壁における表面の粗さが抑えられるようにしたトレンチキャパシタを提供する。【解決手段】 トレンチキャパシタにおいて、トレンチ下部にエピタキシャル層が設けられている。このエピタキシャル層は、トレンチキャパシタの埋め込みプレートとして用いられる。さらに拡散領域によりトレンチ下部が取り囲まれており、これによってエピタキシャル層のドーパント濃度が高められる。拡散領域は、気相ドーピング、プラズマドーピング、あるいはプラズマ浸漬イオンインプランテーションにより形成される。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路において、トレンチキャパシタと拡散領域が設けられており、前記トレンチキャパシタはエピタキシャル層を有し、該エピタキシャル層によって、カラー酸化物よりも下のトレンチ側壁下部が裏打ちされ、前記カラー酸化物によりトレンチ上部が裏打ちされ、前記拡散領域によりトレンチ下部が取り囲まれていることを特徴とする、半導体集積回路。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 625 B ,  H01L 27/04 C