特許
J-GLOBAL ID:200903049986099039

炭酸ガスパルスアーク溶接方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 植木 久一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-197536
公開番号(公開出願番号):特開平7-047473
出願日: 1993年08月09日
公開日(公表日): 1995年02月21日
要約:
【要約】【目的】 1パルス1溶滴となるパルス条件を踏まえ、溶接電流パラメータとワイヤの化学成分の最適な組合せを図ることによって、中電流乃至大電流での炭酸ガスパルスアーク溶接における大幅な低スパッタ化を達成する。【構成】 化学成分が、C:0.01〜0.05%,(Si+Mn):1.5〜3%、(Ti+Al):0.05〜0.4%、残部Feおよび不可避不純物からなる溶接用ソリッドワイヤを用いると共に、(a)ピーク電流IP :400〜550A,(b)ピーク電流期間TP :5〜15ms,(c)ベース電流IB :30〜100A,(d)ベース電流期間TB :5〜35ms,(e)平均電流Iav:200〜350Aの溶接電流パラメータを満足する矩形波パルスを用いて溶接を行なう。
請求項(抜粋):
化学成分が、C:0.01〜0.05%(重量%の意味、以下同じ),(Si+Mn):1.5〜3%,(Ti+Al):0.05〜0.4%、残部Feおよび不可避不純物からなる溶接用ソリッドワイヤを用いると共に、下記(a)〜(e)の溶接電流パラメータを満足する矩形波パルスを用いて溶接を行なうことを特徴とする炭酸ガスパルスアーク溶接方法。(a)ピーク電流IP :400〜550A(b)ピーク電流期間TP :5〜15ms(c)ベース電流IB :30〜100A(d)ベース電流期間TB :5〜35ms(e)平均電流Iav:200〜350A
IPC (3件):
B23K 9/173 ,  B23K 9/32 ,  B23K 35/30 320

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