有機半導体素子の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：山下昭彦 , 岸本達人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-260653
公開番号（公開出願番号）：特開2008-084940
出願日： 2006年09月26日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：

【課題】本発明は、有機半導体層を高精度で簡易的にパターニングすることが可能であり、有機半導体トランジスタを有する有機半導体素子を高い生産性で製造可能な有機半導体素子の製造方法を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、基板を用い、上記基板上に有機半導体材料からなる有機半導体層を形成する有機半導体層形成工程と、上記有機半導体層上に、真空紫外光に対する遮光性を有するパッシベーション層をパターン状に形成するパッシベーション層形成工程と、真空紫外光を上記パッシベーション層および上記有機半導体層上に照射することにより、上記パッシベーション層が形成されていない部位の有機半導体層をエッチングする有機半導体層パターニング工程と、を含む有機半導体トランジスタ形成工程を有することを特徴とする、有機半導体素子の製造方法を提供することにより、上記課題を解決するものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板を用い、前記基板上に有機半導体材料からなる有機半導体層を形成する、有機半導体層形成工程と、前記有機半導体層上に、真空紫外光に対する遮光性を有するパッシベーション層をパターン状に形成するパッシベーション層形成工程と、真空紫外光を前記パッシベーション層および前記有機半導体層上に照射することにより、前記パッシベーション層が形成されていない部位の有機半導体層をエッチングする有機半導体層パターニング工程と、を含む有機半導体トランジスタ形成工程を有することを特徴とする、有機半導体素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , H01L 21/336 , H01L 21/312

FI (6件)：

H01L29/78 619A , H01L29/28 100A , H01L29/28 310K , H01L29/78 618B , H01L29/78 627C , H01L21/312 A

Fターム (28件)：

5F058AC01 , 5F058AC02 , 5F058AF04 , 5F058AH03 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE04 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5F110NN04 , 5F110NN05 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN36 , 5F110QQ01 , 5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (1件)

有機材料のパターン形成方法及びそれを用いた表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-238846 出願人：株式会社リコー

審査官引用 (4件)

半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-246919 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
有機電界効果トランジスタの製造方法及びその有機電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-298416 出願人：独立行政法人科学技術振興機構, 国立大学法人富山大学
電界効果型トランジスタ、その製造方法及びそれを用いた液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-146004 出願人：株式会社日立製作所

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