特許

J-GLOBAL ID：200903049997828245

半導体装置及びその製造方法

発明者： 原 直紀
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-032711
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245389
出願日： 1994年03月03日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：

【要約】【目的】 高電子移動度トランジスタに関し,InGaP 電子供給層とGaAsコンタクト層との間の接触抵抗を低減する。【構成】 半導体基板 1上に積層されたn型Inx Ga1-x P からなる電子供給層 4とn型GaAsからなるコンタクト層 7との間に挿入されたn型Inx Ga1-x P からなるコンタクト層 6を有し, 該n型Inx Ga1-x P からなるコンタクト層 6のエネルギーバンドギャップが該n型Inx Ga1-x P 電子供給層 4のエネルギーバンドギャップより小さい半導体装置。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1) 上に積層されたn型Inx Ga1-x P からなる電子供給層(4)とn型GaAsからなるコンタクト層(7) との間に挿入されたn型InxGa1-x P からなるコンタクト層(6) を有し,該n型Inx Ga1-x P からなるコンタクト層(6) のエネルギーバンドギャップが該n型Inx Ga1-x P 電子供給層(4)のエネルギーバンドギャップより小さいことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/43

FI (2件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/46 H