特許
J-GLOBAL ID：200903050000232699
高周波電力増幅器
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-065560
公開番号（公開出願番号）：特開平11-266130
出願日： 1998年03月16日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 回路素子の増加の抑制され得る温度補償される高周波電力増幅器を提供する。【解決手段】 GaAsFETやHBT等の半導体素子と半導体素子の入力整合回路37、出力整合回路111及び段間整合回路38、39とからなる高周波電力増幅回路において、出力整合回路111は、マイクロストリップライン5、6とそれに接続される並列容量7、8と直列容量9で構成され、並列容量7、8と直列容量9の少なくとも1つはその電気的特性がそれぞれ所定の温度特性を持つ。
請求項（抜粋）：
GaAsFETやHBT等の半導体素子と上記半導体素子の入出力及び段間整合回路からなる高周波電力増幅回路において、前記整合回路に電気的特性が所定の温度特性をもつ受動回路要素を適用して、周囲温度変化に伴う出力電力の変化を補償することを特徴とする高周波電力増幅器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
前のページに戻る
