特許
J-GLOBAL ID:200903050010530418
シリコーンゲル多孔質導電体並びにその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-142302
公開番号(公開出願番号):特開平5-325647
出願日: 1991年03月29日
公開日(公表日): 1993年12月10日
要約:
【要約】【構成】 本発明は、導電性ゴムにおける導電特性が限られる点や、導電性シリコーンゲルにおけるより大きな体積変化と導電特性の直線性に対する要望から成されたシリコーンゲル多孔質導電体であって、多孔化にあたり、乾燥収縮法、溶出法、マイクロ波加熱法、加熱消失法を適用することを特徴とする。【効果】 大きな体積変化が可能となり、導電特性の直線性も向上し、また、その特性を設計し易くなった。
請求項(抜粋):
導電性フィラーを含有するシリコーンゲル内に空孔を多数形成したことを特徴とするシリコーンゲル多孔質導電体。
IPC (4件):
H01B 5/16
, H01B 1/20
, H01B 13/00 501
, H01H 1/02
引用特許:
審査官引用 (4件)
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特開昭57-154702
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特開昭53-028261
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特開昭62-044902
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