特許

J-GLOBAL ID：200903050010937739

電気回路基板及びバイアホールの形成方法

発明者： 新井 ゆかり
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-325182
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183313
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】 バイアホール寸法の判定作業を簡略化する。【構成】 FETのソース電極Sとモニタパターン14、16とを、これらの形成材料をオーミック金属として、基板12の表側に形成する。その後、基板12の裏側にエッチングマスクを形成する。そしてこのマスクを介して基板12をエッチングし、ソース電極Sに対応する領域に導通用バイアホールを形成すると共にモニタパターン14及び16に対応する領域にそれぞれモニタ用バイアホールを形成する。モニタパターン14及び16の寸法は導通用バイアホールにおいて設計上許容される最小及び最大の寸法となっており、従ってモニタ用バイアホール及びモニタパターンの大小比較という簡略な作業により、導通用バイアホールの寸法判定を行なえる。

請求項（抜粋）：

一方及び他方の基板面側にそれぞれ回路要素が形成されると共に一方及び他方の基板面側の相対応する回路要素同志を導通するための導通用バイアホールが形成される基板本体と、前記導通用バイアホールの寸法或は位置ずれを判定するため前記一方の基板面側に設けたモニタパターンとを備えて成ることを特徴とする電気回路基板。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/66 ,  H01L 29/41

FI (3件)：

H01L 29/80 U ,  H01L 21/306 B ,  H01L 29/44 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• バイアホ-ルの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-201211   出願人：日本鉱業株式会社
• 特開昭62-122178
  
• 特開平3-034421