特許
J-GLOBAL ID：200903050011187180
変成へテロ接合バイポーラ・トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
入交 孝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-292682
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144101
出願日： 2000年09月26日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：
【要約】【目的】 高効率、低電圧操作の材料構造を有するへテロ接合バイポーラ・トランジスタを提供する。【構成】 変成へテロ接合バイポーラ・トランジスタは、GaAsウエハーの物質構造に対応して、半絶縁のGaAs基板と、未ドープト変成緩衝膜、コレクターのオーミック電極を形成する高ドープトn型InGaAs膜を含む。そして、変成へテロ接合バイポーラ・トランジスタのコレクターを形成する低ドープトn型InGaAs或いはInP或いはInAlAs膜、変成へテロ接合バイポーラ・トランジスタのベースを形成してベースのオートミック電極とする高ドープトn型InGaAs膜と、変成へテロ接合バイポーラ・トランジスタのエミッタを形成するn型InAlAs或いは傾斜AlInGaAs或いはInP膜、そして変成へテロ接合バイポーラ・トランジスタのエミッタのオーミック電極を形成する高ドープトn型InGaAs膜を含む。
請求項（抜粋）：
6インチ或いは更に大きいサイズの低コストのGaAsウエハーに対応する物質構造を有し、半絶縁のGaAs基板、未ドープト変成緩衝膜、変成へテロ接合バイポーラ・トランジスタのコレクターのオーミック電極を形成する高ドープトn型InGaAs膜、前記変成へテロ接合バイポーラ・トランジスタのコレクターを形成する低ドープトn型InGaAs或いはInP或いはInAlAs膜、前記変成へテロ接合バイポーラ・トランジスタのベースを形成して、前記ベースのオーミック電極とする高ドープトn型InGaAs膜、前記変成へテロ接合バイポーラ・トランジスタのエミッタを形成するn型InAlAs或いは傾斜AlInGaAs或いはInP膜、そして前記変成へテロ接合バイポーラ・トランジスタのエミッタのオーミック電極を形成する高ドープトn型InGaAs膜、を含むことを特徴とする変成へテロ接合バイポーラ・トランジスタ(metamorphic heterojunction bipolar transistor=MHBT)。
IPC (4件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 21/205
, H01L 29/205
H01L 21/205
, H01L 29/205
, H01L 29/72
