特許

J-GLOBAL ID：200903050012483352

圧接型半導体装置

発明者： 守田 俊章 ,  大貫 仁 ,  加藤 光雄 ,  佐藤 満雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-124704
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316254
出願日： 1995年05月24日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】熱応力を低減して高い信頼性が得られると共に、優れた電気的特性が得られる圧接型半導体装置を提供すること。【構成】少なくとも1つのPN接合を有する半導体素子基板と、半導体素子基板の両主面にそれぞれ設けられた電極と、この電極に接続され、表面粗さRaが実質的に0.15 以下である熱緩衝電極板と、熱緩衝電極板を介して半導体素子基板の両主面を圧接する一対の外部電極とを設ける。【効果】異種材料接合部あるいは接触部に発生する熱応力を効果的に緩和、逃がすことにより、長期信頼性及び電気的特性の良好な圧接型半導体装置が得られる。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つのPN接合を有する半導体素子基板と、前記半導体素子基板の両主面にそれぞれ設けられた電極と、前記電極に接続され、表面粗さRaが実質的に0.15 以下である熱緩衝電極板と、前記熱緩衝電極板を介して前記半導体素子基板の両主面を圧接する一対の外部電極とを有する圧接型半導体装置。